SUD50N04-8M8P-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SUD50N04-8M8P-GE3 datasheet
-
МаркировкаSUD50N04-8M8P-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SUD50N04-8M8P-GE3 Configuration: Single Continuous Drain Current: 14 A Continuous Drain Current Id: 50A Drain Source Voltage Vds: 40V Drain-source Breakdown Voltage: 40 V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT On Resistance Rds(on): 10.5mohm Package / Case: TO-252AA Power Dissipation: 3.1 W Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V Resistance Drain-source Rds (on): 0.0088 Ohms Threshold Voltage Vgs Typ: 3V Transistor Polarity: N Channel
-
Количество страниц9 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.06.2024
07.06.2024
06.06.2024